制造薄膜晶体管的方法和制造有机发光显示设备的方法。薄膜晶体管制造方法允许在与半导体图案相对的绝缘、传导层、金属膜的三层上形成第一光刻胶图案。在通过第一离子注入工序形成源区域和漏区域之前，通过蚀刻工序形成第一金属图案和传导图案。从第一光刻胶图案得到具有比第一光刻胶图案的宽度更窄的宽度的第二光刻胶图案。第一金属图案被重形成为具有比第二光刻胶图案的宽度更窄的第二金属图案。进行包括去除第二光刻胶图案、在所述半导体图案中形成轻掺杂漏LDD区域以及在所述半导体图案中形成栅交叠轻掺杂漏GOLDD区域的处理；在第二绝缘膜上形成源极和漏极之前形成第二绝缘膜。