本发明公开了一种锗锡隧穿场效应晶体管及其制备方法。本发明的锗锡隧穿场效应晶体管包括形成在锗半导体的衬底上的锗锡薄膜层、源区、漏区、沟道区和栅叠层区以及锗半导体的衬底。本发明的锗锡隧穿场效应晶体管制备在锗半导体的衬底上生长的锗锡薄膜层上，其中的锗锡薄膜层中锡的组分是在生长中进行调节，且随着锡的组分增加，锗锡薄膜层的禁带宽度一直减少。锗锡薄膜层的禁带宽度减少使得隧穿宽度减少，隧穿电流明显增加；间接带隙转换为直接带隙（约6%锡）也使得隧穿电流增加，所以锗锡隧穿场效应晶体管可以实现明显地提升驱动电流，从而有效地解决当前隧穿场效应晶体管的驱动电流不足的问题。