本发明公开一种TFT-LCD阵列基板，包括形成在基板上的扫描线和数据线，所述扫描线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，所述的薄膜晶体管包括与扫描线相连接的栅极、与数据线相连接的源极、与像素电极相连接的漏极以及源电极和漏电极之间形成的薄膜晶体管的半导体层；所述像素区域内还形成有与所述像素电极一起构成存储电容的存储电极，所述的存储电极和所述的薄膜晶体管的半导体层为透明材质的IGZO。其中，对所述的存储电极和所述的薄膜晶体管的半导体层进行离子注入处理，并在同一制程中完成。通过本发明方案，在不增加光罩制程以及材料的情况下，达成利用IGZO作为透明存储电极的目标，大幅提升像素的开口率，符合产业针对画质的需求。