一种阵列基板和制造阵列基板的方法，所述方法包括以下步骤：在基板上按顺序地形成第一金属层、栅极绝缘材料层和氧化物半导体材料层；在约300摄氏度至约500摄氏度的温度下热处理具有氧化物半导体材料层的基板；图案化氧化物半导体材料层、栅极绝缘材料层和第一金属层，从而形成栅极、栅极绝缘层和氧化物半导体层；形成连接至栅极的栅线，并且所述栅线由低电阻金属材料制成；形成源极与漏极、数据线和像素电极，源极与漏极和数据线具有透明导电材料层和低电阻金属材料层的双层结构，像素电极由透明导电材料层制成。