一种相变存储器及其制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底，其包括第一区域、第二区域；沉积介电层，在半导体衬底第二区域上的介电层内形成下电极；沉积相变材料，对其进行刻蚀，以在介电层上方对应下电极的位置形成图形化相变材料层、对应半导体第一区域的局部位置形成伪相变垫，图形化相变材料层与伪相变垫之间存在间隔，伪相变垫至少包括两个部分，相邻部分之间存在间隔；形成伪相变垫之后，对半导体衬底进行清洗处理。本发明将伪相变垫分割为彼此之间存在间隔的多个部分之后，有效改善了在相变材料刻蚀后的清洗处理过程中伪相变垫易剥落的问题。