本发明公开了一种显露穿硅通孔的方法。首先于半导体基板的第一面形成孔洞；沉积绝缘层，使其共形的覆盖住孔洞的侧壁及底面；将孔洞底部的绝缘层去除，显露出孔洞底部；沉积阻障层及金属层；于半导体基板的第一面上进行化学机械研磨工艺，将孔洞外的金属层、阻障层及绝缘层磨平；研磨半导体基板的第二面，从第二面显露出位于孔洞底部的阻障层及部分的绝缘层；进行氮化处理，将显露出的阻障层变为氮化阻障层，将显露出的绝缘层部分氮化变成氮化绝缘层；以及进行蚀刻工艺，将氮化阻障层及氮化绝缘层去除，于所述半导体基板的第二面上显露出穿硅通孔结构的金属层及部分的阻障层的侧壁。