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降低碳辅助注入工艺流程中多晶硅栅耗尽的方法
编号:S000019969 刷新日期: 有效日期至:2020-12-12 浏览:2425 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提供一种降低碳辅助注入工艺流程中多晶硅栅耗尽的方法,用于制备PMOS,先提供半导体衬底,所述半导体衬底上形成有栅极,所述栅极一侧的半导体衬底为源极区,另一侧的半导体衬底为漏极区,其特征在于,还包括:步骤1,制作栅极侧墙,并进行P型重掺杂硼注入后进行热退火;步骤2,移除侧墙并进行轻掺杂漏极注入,并采用碳辅助注入工艺;步骤3,沉积硅化物掩模以制作新的侧墙;步骤4,形成自对准硅化物。本发明通过整碳辅助注入工艺流程中的P型重掺杂硼注入步骤和轻掺杂漏极注入步骤,避免了无法较好的扩散的问题,降低了多晶硅栅耗尽。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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