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芯片上铁氧体磁珠电感器
编号:S000019961 刷新日期: 有效日期至:2020-10-03 浏览:2057 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种具有原位芯片级铁氧体磁珠电感器的半导体结构及其形成方法。实施例包括:衬底;在衬底上形成的第一介电层;在第一介电层上形成的下铁氧体层;以及在结构中与下铁氧体层间隔分开的上铁氧体层。第一金属层可以形成在下铁氧体层上方,以及第二金属层可以形成在上铁氧体层下方,其中,至少第一或第二金属层具有包括多匝的线圈结构。至少一个第二介电层可以设置在第一和第二金属层之间。铁氧体磁珠电感器具有小形状因数并且适合于采用BEOL工艺形成。本发明提供了芯片上铁氧体磁珠电感器。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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