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> 技术详情
芯片上铁氧体磁珠电感器
编号:S000019961
刷新日期:
有效日期至:
2020-10-03
浏览:
2464
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
一种具有原位芯片级铁氧体磁珠电感器的半导体结构及其形成方法。实施例包括:衬底;在衬底上形成的第一介电层;在第一介电层上形成的下铁氧体层;以及在结构中与下铁氧体层间隔分开的上铁氧体层。第一金属层可以形成在下铁氧体层上方,以及第二金属层可以形成在上铁氧体层下方,其中,至少第一或第二金属层具有包括多匝的线圈结构。至少一个第二介电层可以设置在第一和第二金属层之间。铁氧体磁珠电感器具有小形状因数并且适合于采用BEOL工艺形成。本发明提供了芯片上铁氧体磁珠电感器。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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