本发明公开了一种形成超浅结面的方法，包括以下步骤：（1）提供一经过侧墙刻蚀工艺后形成的半导体结构；（2）对所述半导体结构进行氮源种离子注入工艺后，采用轻掺杂漏极工艺于所述半导体结构上注入硼离子；（3）继续重掺杂离子注入工艺和退火工艺，于所述半导体结构上形成具有超浅结面的源漏区。本发明引入新的源种---N28，由于N28可以降低硼原子在硅衬底中的扩散，且氮原子不会与硅原子形成共价键，所以克服了碳辅助注入时多晶硅栅耗尽层问题加重的问题，同时可以形成超浅结面，且工艺步骤简单。