本发明提供一种等离子蚀刻装置，其包括一处理室、一气体注射器、多个导管以及至少一气体供应系统。气体注射器设置于处理室的顶面。导管面对气体注射器并设置于处理室的底面。气体供应系统耦接于每一导管，其中气体供应系统通过导管供应加工气体至处理室，以增加蚀刻均匀性。本发明的等离子蚀刻装置于处理室底面增加设置多个导管，并通过导管提供加工气体，以维持半导体晶圆边缘的等离子的理想状态，达到一致的蚀刻均匀性。