一种CMOS管的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括NMOS区域和与其相隔PMOS区域，NMOS区域形成有第一伪栅极结构和第一源/漏区，PMOS区域形成有第二伪栅极结构和第二源/漏区，且PMOS区域的半导体衬底、第二源/漏区和第二伪栅极结构表面覆盖有第一掩膜层；以第一掩膜层为掩膜，形成覆盖第一源/漏区表面的第一金属硅化物层；形成第一金属硅化物层后，去除所述第一掩膜层；形成位于所述半导体衬底表面的层间介质层，层间介质层与第一伪栅极结构和第二伪栅极结构表面齐平；刻蚀层间介质层，暴露出部分第二源/漏区表面的开口；通过开口在第二源/漏区表面形成第二金属硅化物层。形成的CMOS管的性能稳定。