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CMOS及其形成方法
编号:S000019942 刷新日期: 有效日期至:2020-11-03 浏览:2385 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种CMOS及其形成方法,其中所述CMOS,包括:半导体衬底,所述半导体衬底具有第一区域和第二区域,所述第一区域的半导体衬底表面具有第一鳍部,所述第一鳍部的掺杂类型为N型,所述第二区域的半导体衬底表面具有第二鳍部,所述第二鳍部的掺杂类型为P型;位于所述第一鳍部底部两侧的第一侧墙;位于所述第一鳍部顶部两侧的第二侧墙,所述第二侧墙具有拉应力;位于所述第二鳍部底部两侧的第三侧墙,所述第三侧墙具有拉应力;位于所述第二鳍部顶部两侧的第四侧墙。本发明的CMOS减小了器件的漏电流。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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