一种CMOS及其形成方法，其中所述CMOS，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域和第二区域，所述第一区域的半导体衬底表面具有第一鳍部，所述第一鳍部的掺杂类型为N型，所述第二区域的半导体衬底表面具有第二鳍部，所述第二鳍部的掺杂类型为P型；位于所述第一鳍部底部两侧的第一侧墙；位于所述第一鳍部顶部两侧的第二侧墙，所述第二侧墙具有拉应力；位于所述第二鳍部底部两侧的第三侧墙，所述第三侧墙具有拉应力；位于所述第二鳍部顶部两侧的第四侧墙。本发明的CMOS减小了器件的漏电流。