本发明属于薄膜晶体管技术领域，具体为一种以铟锌铝氧化物为沟道层的薄膜晶体管的制备方法。该方法以铝掺杂铟锌氧化物获得铟锌铝氧化物半导体薄膜，改善铟锌氧化物半导体沟道层的性能。本发明利用一种成本低廉、工艺简单、大面积制备容易的浸渍提拉法工艺制备了表面平整、厚度均一而致密的铟锌铝氧化物薄膜，并将其应用于氧化物薄膜晶体管制备中。所制备的薄膜晶体管器件综合性能优良，具有较高饱和迁移率26.8 cm²/Vs，较低亚阈值摆幅0.24 V/decade，开关比大于10⁴。