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薄膜晶体管的制造方法及其制造的薄膜晶体管
编号:S000019905 刷新日期: 有效日期至:2021-01-06 浏览:2042 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 广东 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法及其制造的薄膜晶体管,所述方法包括以下步骤:步骤1、提供一基板;步骤2、在基板上形成第一金属层,并通过光罩制程形成栅极;步骤3、在栅极上形成栅极绝缘层;步骤4、在栅极绝缘层上形成氧化物半导体层,在氧化物半导体层上形成第二金属层,该第二金属层包括形成于氧化物半导体层上的钛层及形成于钛层上的铜层,并通过光罩制程形成数据线与源/漏极;步骤5、在第二金属层上形成透明导电层,并通过光罩制程图案化该透明导电层,进而制得薄膜晶体管。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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