本发明涉及一种薄膜晶体管主动装置。该薄膜晶体管主动装置包括：栅极电极；覆盖所述栅极电极的栅极绝缘层；形成于所述栅极绝缘层上的氧化物半导体层；形成于所述氧化物半导体层上的第一保护层；与所述氧化物半导体层电连接的源/漏极电极；以及覆盖所述源/漏极电极的第二保护层；其中，所述栅极绝缘层、第一保护层与第二保护层至少其中之一由硅的氮化物所构成,且其折射率介于2.0~3.0。本发明的薄膜晶体管主动装置可抑制来自于金属电极的金属离子扩散并减少绝缘层与保护层的H含量，可有效的提升TFT制程工艺的稳定性。