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薄膜晶体管基板的制造方法及用该方法制造的薄膜晶体管基板
编号:S000019900 刷新日期: 有效日期至:2020-12-22 浏览:3082 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 广东 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提供一种薄膜晶体管基板的制造方法及用该方法制造的薄膜晶体管基板,所述方法包括:步骤1、提供基片(20);步骤2、在基片(20)上形成预定结构的栅极(22);步骤3、在栅极(22)与基片(20)上形成栅极绝缘层(24);步骤4、在栅极绝缘层(24)上形成预定结构的金属信号线(26);步骤5、在栅极绝缘层(24)上形成预定结构的氧化物半导体层(28);步骤6、在栅极绝缘层(24)、金属信号线(26)、氧化物半导体层(28)上形成预定结构的钝化层(32);步骤7、在所述金属信号线(26)、氧化物半导体层(28)、钝化层(32)上形成预定结构的源/漏极(34),以形成薄膜晶体管基板。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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