本发明的一种硫化镉量子点的制备方法属于半导体纳米材料制备的技术领域，具体涉及一种全新方法制备尺寸可调，单分散性良好的半导体量子点。本发明用羧酸镉作为镉源，用(TMS)₂S作为硫源，合成一定尺寸的CdS半导体纳米簇，以此作为合成CdS量子点的反应前体，将配体与非配位型溶剂混合加热，注入制得的CdS纳米簇，得到CdS量子点。本发明的量子点合成方法具有创新性，并且操作简便，反应快速，可进行大量合成，制得的量子点尺寸可调控，具有优良的单分散性和稳定性。