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薄膜晶体管基板的制造方法
编号:S000019895 刷新日期: 有效日期至:2020-11-30 浏览:2457 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 广东 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提供一种薄膜晶体管基板的制造方法,制程简单,通过连续成膜氧化物半导体层与源/漏极实现良好的接触界面,避免了由于接触电阻过大而产生的拥挤效应,同时,源/漏极通过含有钽的金属材料制得并在源/漏极蚀刻制程中采用含有过氧化氢的蚀刻液对其进行蚀刻,避免了传统蚀刻液对于氧化物半导体层的破坏,提升了薄膜晶体管基板的品质,且,不需要另外制作一层刻蚀阻挡层来保护背沟道处的氧化物半导体层,保证了较高的沟道宽长比(W/L),简化了薄膜晶体管基板的结构,减少了制作过程,降低了生产成本,提高了生产良率。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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