本发明提供一种薄膜晶体管基板的制造方法，制程简单，通过连续成膜氧化物半导体层与源/漏极实现良好的接触界面，避免了由于接触电阻过大而产生的拥挤效应，同时，源/漏极通过含有钽的金属材料制得并在源/漏极蚀刻制程中采用含有过氧化氢的蚀刻液对其进行蚀刻，避免了传统蚀刻液对于氧化物半导体层的破坏，提升了薄膜晶体管基板的品质，且，不需要另外制作一层刻蚀阻挡层来保护背沟道处的氧化物半导体层，保证了较高的沟道宽长比（W/L），简化了薄膜晶体管基板的结构，减少了制作过程，降低了生产成本，提高了生产良率。