本发明涉及半导体材料领域，具体而言，涉及生产热电转换材料的方法、装置及用该材料生产溅射靶材的方法。生产热电转换材料的方法，包括如下步骤：（A）将质量分数0%-15%的铋、25%-40%的锑和56%-63%的碲混合，组成原料；（B）对原料进行真空熔炼处理，得到半导体热电转换材料BiSbTe金属化合物。本发明是利用真空熔炼的方法，通过在传统的碲化铋材料中，均匀地掺杂了类金属元素锑（Sb）在碲化铋的金属合金里面，形成一种金属化合物BiSbTe，改变了材料的能带间隙，从而提高半导体合金里面的电载体自由空穴的浓度，极大地提高了材料本身的热-电性能，即所谓的ZT参数，掺杂的元素不会产生偏析，或者晶体缺陷。