一种动态记忆体结构，至少包含基材、条状半导体材料、断开栅极、介电层、栅极介电层与电容单元。条状半导体材料位于基材上，并沿着第一方向延伸。断开栅极位于基材上并沿着第二方向延伸。断开栅极包含独立的第一区块以及第二区块，而将条状半导体材料分成源极端、漏极端及通道区。介电层至少部分夹置于断开栅极与基材之间。栅极介电层至少部分夹置于断开栅极与条状半导体材料之间。电容单元则与源极端电连接。