本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种低电容JFET器件及其制造方法。本发明所述的低电容JFET器件，包括p型半导体材料衬底、覆盖于衬底表面的n型外延层、外延层中的第一p区及第二p区、外延层中的第一n型半导体区、第二n型半导体区与第二p区之间的氧化层介质槽以及器件表面的金属栅电极、源电极、漏电极。本发明的有益效果为，可以明显降低JFET器件的输入电容从而提升探测器的灵敏度，同时还可以降低JFET器件的泄漏电流。本发明尤其适用于低电容JFET器件。