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> 技术详情
太阳能电池用晶片及其制备方法
编号:S000019875
刷新日期:
有效日期至:
2020-11-12
浏览:
2260
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明提供在以硅晶片为代表的半导体晶片表面具有多孔质层,可进一步降低该表面的光反射损耗的太阳能电池用晶片。本发明的太阳能电池用晶片(100)的特征在于,在半导体晶片(10)的至少一面(10A)上具有孔径为10nm以上且45nm以下,层厚为超过50nm且450nm以下的多孔质层(11)。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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