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太阳能电池用晶片及其制备方法
编号:S000019875 刷新日期: 有效日期至:2020-11-12 浏览:2260 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提供在以硅晶片为代表的半导体晶片表面具有多孔质层,可进一步降低该表面的光反射损耗的太阳能电池用晶片。本发明的太阳能电池用晶片(100)的特征在于,在半导体晶片(10)的至少一面(10A)上具有孔径为10nm以上且45nm以下,层厚为超过50nm且450nm以下的多孔质层(11)。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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