本发明涉及与鳍式场效应晶体管技术兼容的器件结构。提供了用于鳍式场效应晶体管集成电路技术的器件结构、设计结构和制造方法。构成器件结构的电极的第一鳍和第二鳍中的每一者由第一半导体材料构成。第二鳍被形成为邻近第一鳍，以限定使第一鳍和第二鳍分隔的间隙。由第二半导体材料构成的层位于该间隙中。