本发明涉及一种低温晶圆键合的方法及通过该方法形成的结构。该低温晶圆键合的方法包括制备包括多个金属压点的第一衬底和靠近所述金属压点的第一电介质层，所述金属压点和所述第一电介质层位于所述第一衬底的上表面；制备包括多个半导体压点的第二衬底和靠近所述半导体压点的第二电介质层，所述半导体压点和所述第二电介质层位于所述第二衬底的上表面；直接接触，所述多个金属压点中的至少一个金属压点和所述多个半导体压点中的至少一个半导体压点直接接触，所述第一电介质层与所述第二电介质层直接接触；以及在第一衬底和第二衬底的压力作用下，键合所述金属压点和所述半导体压点，键合所述第一电介质层和所述第二电介质层。