本文公开一种形成半导体器件的方法。层间介电质(inter-poly dielectric;IPD)层叠的氮层是使用硅烷与氮等离子体沉积而产生氮化物层，所述氮化物层在所述层整个厚度上皆受到等离子体处理。除了氮化所述层叠的底部氮化物层之外，也氮化中间的氮化物层。在氮等离子体中由硅烷沉积硅可以通过使用高密度等离子体、ALD或远程等离子体工艺完成。在沉积期间可使用升高的温度以减少沉积层中残余的氢。