本发明为具有新型结构的高压(HV)器件端接及其制备方法，公开了一种设置在半导体衬底中的半导体功率器件，含有一个形成在轻掺杂区上的重掺杂区，并且具有一个有源器件元区和一个边缘终接区。边缘终接区包括多个终接沟槽，形成在重掺杂区中，终接沟槽内衬电介质层，并且用导电材料填充。边缘终接还包括多个掩埋保护环，作为掺杂区，在半导体衬底的轻掺杂区中，紧靠终接沟槽。