本发明公开了一种具有TiAlN阻挡/润湿层的金属栅叠层以及制造该金属栅叠层的方法。在一实例中，集成电路器件包括半导体衬底和设置在半导体衬底上方的栅叠层。该栅叠层包括设置在半导体衬底上方的栅极介电层；设置在栅极介电层上方的功函数层；设置在功函数层上方的多功能润湿/阻挡层，其中，所述多功能润湿/阻挡层是氮化钛铝层；以及导电层设置在多功能润湿/阻挡层上方。