本发明提供一种浅沟槽隔离结构的制造方法，在浅沟槽中形成氧化层之前或之后，对浅沟槽与半导体衬底的界面进行碳处理，利用碳离子的扩散修补浅沟槽的氧化层与半导体衬底的SiO₂/Si界面的孔洞以及空隙，提高SiO₂/Si界面致密性，抑制半导体衬底中掺杂的硼、磷等离子的扩散，进而提高浅沟槽隔离结构的隔离性能。