本发明提供了使用后栅极工艺制造的场控晶体管结构。根据本发明的实施方式，提供了一种场控晶体管结构。该场控晶体管结构包括半导体基板、金属栅极、多晶硅（多晶硅）层、以及第一金属部分和第二金属部分。多晶硅层具有第一侧面、第二侧面、第三侧面和第四侧面，并设置在第一侧面上的半导体基板和第二侧面上的金属栅极之间。多晶硅层还设置在第三侧面和第四侧面上的第一金属部分和第二金属部分之间。根据本发明的一些实施方式，场控晶体管结构还可包括设置在多晶硅层和半导体基板之间的薄金属层。薄金属层可与第一金属部分和第二金属部分中的每一个电耦接。