一种一步实现图案化和自修饰界面的有机薄膜晶体管的制备方法，包括硅基片的表面处理、有机半导体薄膜的形成和电极的配置，其特征在于：所述的有机半导体薄膜的形成是将有机半导体材料Tips-并五苯和高分子聚合物按4∶1-1∶1的质量比混合溶解于有机溶剂中配成质量百分浓度0.5-5％的有机溶液，该有机溶液通过滴膜静置法均匀滴至已表面处理过并预留有金电极且呈15-30°倾角置放的硅基片上，脱溶干燥后得到图案化的并有自修饰界面的有机半导体薄膜。本方法一步实现去润湿图案化，并通过相分离生成自修饰界面层，从而提高载流子迁移率，也就是提高了有机薄膜晶体管的电学性能。