一种晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有第一硅锗层、第一硅层和第二硅锗层，所述半导体衬底具有第一区域和第二区域，所述第二区域在第一区域两侧；在第二硅锗层表面形成硬掩膜层，去除第二区域的硬掩膜层、第二硅锗层和第一硅层直至暴露出第一硅锗层；去除第一区域的第一硅锗层和第二硅锗层之间的第一硅层；在第一区域的第一硅锗层和第二硅锗层之间形成隔离层；去除硬掩膜层，在第二区域形成第二硅层直至与第二硅锗层表面齐平；在第一区域的第二硅锗层表面形成栅极结构。所形成的晶体管能抑制短沟道效应，价格低廉，能与基于硅衬底的半导体器件集成。