本发明公开了一种光控太赫兹波开关，包括半导体基片、空气层和缺陷层，半导体基片的数量为2n个，n为整数且n≥2；所述缺陷层的两侧置有相同数量的所述半导体基片，且位于所述缺陷层的同一侧的相邻半导体基片之间通过支撑环分隔而形成所述空气层；所述缺陷层由空气构成。本发明通过控制照射到与缺陷层最相邻的其中一个半导体基片的朝向缺陷层的表面上的激光的有无，可以实现太赫兹波开关的关闭和打开操作。本发明可在较低的控制用激光光功率下实现较高的开关消光比，可满足在太赫兹波成像、太赫兹波光谱测试和太赫兹波通信等领域应用的要求，也可作为太赫兹波调制器使用。