本发明公开了一种含有沟槽栅的深沟槽型超级结的栅沟槽的形成方法，包括步骤：在半导体衬底上形成硬掩膜；采用光刻工艺定义出深沟槽区域；将深沟槽区域的硬掩膜去除，以硬掩膜为阻挡层进行刻蚀形成多个交替排列的深沟槽；对深沟槽进行半导体材料填充；对半导体材料进行回刻到表面低于深沟槽的顶部位置；在半导体衬底的正面淀积氧化膜；对氧化膜进行回刻直到硬掩膜的氮化膜露出；利用腐蚀工艺将氮化膜去除、将位于深沟槽区域的氧化膜保留；利用呈交替排列的氧化膜为掩膜对半导体衬底进行刻蚀形成栅沟槽。本发明能简化工艺流程，提高产品工艺的对准精度，提高产品的性能。