本发明提供了一种压力传感器的制造方法，其包括步骤：提供半导体基板，其中内嵌有层叠排列的CMOS电路、互连电路以及底部电极板，半导体基板暴露所述底部电极板外围的互连电路；在所述半导体基板上底部电极板的对应位置形成牺牲层；在所述牺牲层及所述半导体基板上形成压力感应层；去除所述牺牲层，所述压力感应层和半导体基底围成一个空腔；在所述压力感应层上形成压力传导层，其位于空腔的上方；其中，所述压力感应层的形成步骤包括：在牺牲层上形成锗硅层；对锗硅层进行激光脉冲照射使其呈熔融态。相比于现有技术：压力感应层该方法可以减小其中的应力，从而应力大大降低，提高了器件的性能。