一种NMOS晶体管及其形成方法、SRAM存储单元电路，所述NMOS晶体管包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底表面的栅极结构，位于所述栅极结构侧壁的侧墙，位于所述栅极结构两侧的半导体衬底内的源区和漏区，位于所述源区或漏区上的拉伸应力层。由于所述拉伸应力层位于源区上或位于漏区上，使得沟道区受到的拉伸应力不均匀对称，使得所述NMOS晶体管的不同电流方向的饱和源漏电流不同。利用所述NMOS晶体管作为SRAM存储单元电路的传输晶体管，从而在不降低SRAM存储单元的读取裕度的同时，提高SRAM存储单元的写入裕度，从而可以提高SRAM存储单元的读写稳定性。