一种制造氧化物薄膜晶体管的方法，所述方法包括下述步骤：在基板上形成氧化物半导体的有源层；对所述有源层进行等离子体表面处理，以使氧渗透进所述有源层中。因为对氧化物半导体的有源层进行含氧等离子体表面处理，所以可防止由于有源层中氧浓度的不均匀而导致的元件特性劣化。