本发明涉及一种薄膜晶体管结构及其制造方法。所述薄膜晶体管结构包括基材、栅极、栅极绝缘层、源极连接层、漏极连接层、源极、漏极及半导体层。其中，半导体层不直接接触源极与漏极，乃是通过源极连接层及漏极连接层分别与源极和漏极连接，以解决薄膜晶体管组件劣化及效能降低等问题。