本发明涉及显示技术领域，公开了一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法。所述阵列基板，包括薄膜晶体管器件，所述薄膜晶体管包括半导体有源层，所述薄膜晶体管器件的半导体有源层的材质为微晶硅。半导体有源层采用微晶硅，可以提高载流子迁移率。本发明提供阵列基板的制备方法，激光退火时源漏金属层起到传热作用，使半导体有源层的非晶硅转化为微晶硅，使得阵列基板的载流子迁移率提高，进而降低其工作电压和功耗，进一步提高显示装置的分辨率和亮度。而且，相对于多晶硅阵列基板，本发明的阵列基板的成本低，工艺简单。