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具有水平准同轴电缆结构的隧穿晶体管及其形成方法
编号:S000019752 刷新日期: 有效日期至:2020-11-08 浏览:3351 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提供一种具有水平准同轴电缆结构的隧穿晶体管及其形成方法,该隧穿晶体管包括:具有第一掺杂类型的半导体衬底,所述半导体衬底为源区或漏区;形成在所述半导体衬底上的沟道区,其中,所述半导体衬底上未形成所述沟道区的区域形成有绝缘层;形成在所述沟道区和绝缘层上的具有第二掺杂类型的漏区或源区,所述漏区或源区的第一部分包覆所述沟道区的第一部分;形成在所述漏区或源区的第一部分上的栅结构,所述栅结构包覆所述漏区或源区的第一部分。根据本发明实施例的隧穿晶体管可以改善TFET器件的驱动能力。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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