本发明公开了一种通过使用组合外延生长减少变化的方案，其中具体公开了一种用于形成半导体结构的方法，包括：在晶圆中的半导体衬底之上形成栅极堆叠件；在半导体衬底中以及与栅极堆叠件相邻地形成凹槽；以及执行选择外延生长以在凹槽中生长半导体材料，从而形成外延区域。执行选择外延生长的步骤包括：利用在第一生长阶段中使用的工艺气体的第一E/G比率执行第一生长阶段；以及利用不同于第一E/G比率的、在第二生长阶段中使用的工艺气体的第二E/G比率执行第二生长阶段。