本发明涉及一种在回焊前清洗焊料凸块的方法，大体有关于用以形成现代精密半导体装置的方法，且更特别的是，可在半导体芯片的接触层上方形成实质无铅焊料凸块的方法。揭示于本文的一示范方法包括下列步骤：形成焊料凸块于半导体装置的金属化层上方，移除在该焊料凸块的表面上的氧化物膜，以及在移除该氧化物膜后，在还原性气氛中进行焊料凸块回焊工艺以回焊该焊料凸块。