本发明公开了一种双极结型晶体管（BJT）的制作方法，包括：在半导体衬底内制作收集区，该半导体衬底具有第一掺杂类型；制作具有第二掺杂类型的基区，该基区具有基区深度；以及制作具有第一掺杂类型的发射区；其中通过调节基区的布局宽度来控制基区深度。