提供了一种用于薄膜太阳能电池的溅射靶，其特征在于提供了一种用于制造黄铜矿半导体化合物的预制体三步法工艺，此工艺可制造薄膜太阳能电池中IB-IIIA-VIA半导体吸收层。其步骤包括获取沉积第一电极膜的基板；在基板上形成一混合前驱体层，这种前驱体是由产物理想量比的IB族、ⅢA族和ⅣA族元素组成；在混合前驱体层上沉积一层含有钠盐的覆盖顶层；前驱体层与钠盐的覆盖顶层一起经过加热退火形成高质量IB-IIIA-VIA半导体吸收层。钠盐的覆盖顶层是通过本发明所述的钠盐靶材，经过磁控溅射而获得的。钠盐层的加入一方面可防止金属元素及硒元素的流失，阻止有害不纯物质污染；另一方面可进一步完善多晶薄膜IB-ⅢA-ⅣA半导体吸收层结构，可应用于大面积光伏生产中的IB-IIIA-VIA半导体吸收层。