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一种利用侧墙工艺的SOI MOSFET体接触形成方法
编号:S000019733 刷新日期: 有效日期至:2020-12-22 浏览:2201 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 黑龙江 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提供的是一种利用侧墙工艺的SOI MOSFET体接触形成方法。包括一个经过刻蚀形成底层半导体衬底1;在底层半导体衬底(1)上的左面隐埋氧化层6(A)和右面隐埋氧化层6(B);顶部硅膜(7);在顶部硅膜(7)上生长栅氧化层(8);一个位于栅氧化层(8)上的多晶硅栅极(9);其特征是:体接触(11)引出端位于两个处在不同高度的底层半导体衬底(1)水平面之间。本发明提供一种能够将中性体区中多余的空穴导出,实现抗浮体效应,同时还防止自加热效应的产生的SOI MOSFET体接触结构;还提供一种简化制造流程,降低制作成本,提高器件可靠性的SOI MOSFET体接触结构的形成方法。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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