形成鳍部的方法和形成鳍式场效应晶体管的方法。其中，形成鳍部的方法包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面具有绝缘层，所述半导体衬底表面还具有第一鳍部，所述第一鳍部贯穿所述绝缘层，绝缘层高度低于第一鳍部高度；在所述第一鳍部的表面形成等离子体掺杂层，所述等离子体掺杂层为均匀的非晶相层；刻蚀掉所述等离子体掺杂层，形成第二鳍部，所述第二鳍部的尺寸小于第一鳍部的尺寸。本发明的技术方案可以进一步减薄鳍式场效应晶体管的鳍部尺寸，形成高性能的鳍式场效应晶体管。