本发明涉及一种具有P+浮栅电极的非挥发性记忆体及其制备方法，其半导体基板内的上部设有记忆体细胞；记忆体细胞包括PMOS访问晶体管、控制电容及编程电容；半导体基板内的上部设有若干隔离沟槽，隔离沟槽内设置有隔离介质以形成领域介质区域；记忆体细胞内的PMOS访问晶体管、控制电容及编程电容通过领域介质区域相互隔离；半导体基板的第一主面上淀积有栅介质层，所述栅介质层覆盖隔离沟槽的槽口并覆盖半导体基板的第一主面；PMOS访问晶体管、控制电容两侧隔离沟槽的顶角正上方均设置P+浮栅电极，所述P+浮栅电极位于栅介质层上，并与相应隔离沟槽的顶角相对应。本发明能与CMOS逻辑工艺兼容，提高数据保留时间，提高非挥发性记忆体的使用可靠性。