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一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置
编号:S000019720 刷新日期: 有效日期至:2020-12-24 浏览:2448 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置,用以在保证源电极电容不变的情况下增大薄膜晶体管导电沟道宽度,提高薄膜晶体管的性能,从而提高图像画质。所述薄膜晶体管包括:基板;形成在基板上的栅电极、源电极、至少两个漏电极和半导体层;形成在所述基板上位于所述栅电极和半导体层之间的栅电极保护层,形成在所述基板上位于所述半导体层和源电极以及漏电极之间的刻蚀阻挡层,其中,所述源电极和所述漏电极分别通过过孔和所述半导体层相连。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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