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先进硅处理中的软错误率(SER)减少
编号:S000019707 刷新日期: 有效日期至:2020-12-03 浏览:2387 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括提供衬底。该方法包括在衬底上方形成互连结构的一部分。该部分互连结构具有开口。该方法包括获得没有硼-10同位素的含硼气体。该方法包括用导电材料填充开口以形成接触件。使用含硼气体实施填充开口。还提供一种半导体器件。半导体器件包括衬底。半导体器件包括形成在衬底上方的互连结构。半导体器件包括形成在互连结构中的导电接触件。导电接触件具有包括钨和硼的材料成分,其中,硼是富含11B的硼。本发明还提供了先进硅处理中的软错误率(SER)减少。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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