本发明提供一种半导体器件。半导体器件包括形成在衬底上方的第一金属层部件。半导体器件包括形成在第一金属层部件上方的通孔。通孔具有凹陷形状。半导体器件包括形成在通孔上方的第二金属层部件。半导体器件包括形成在衬底上方的第一介电层部件。第一介电层部件与第一金属层部件相邻，并且部分地位于第一金属层部件上方。第一介电层部件包含氟。半导体器件包括形成在第一介电层部件上方的第二介电层部件。第一介电层部件和第二介电层部件各自都与通孔相邻。第二介电层部件不含有氟。本发明还提供用于形成大通孔的新工艺。