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具有纳米图案化衬底的LED的方法和结构
编号:S000019689 刷新日期: 有效日期至:2020-10-20 浏览:2564 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本公开提供了一种制造光电二极管(LED)器件的方法的一个实施例。该方法包括:在第一衬底上形成纳米掩模层,其中,纳米掩模层具有随机布置的颗粒图案;在第一衬底中生长第一外延半导体层,形成纳米复合层;在纳米复合层上方生长若干外延半导体层;从外延半导体层的第一侧将第二衬底接合到外延半导体层;将辐射能施加到纳米复合层;以及从外延半导体层的第二侧将第一衬底与外延半导体层分隔开。本发明还提供了一种具有纳米图案化衬底的LED的方法和结构。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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